日本大胸在线观看,青青影院午夜宅男,国产剧情AV作精品原创,免费人成网站在线播放,1024精品自拍,泰国一级婬片A片AAA毛片,99精品黄色片,欧美成人aa久久狼窝五月丁香,晚上一炮早晨一炮,亚洲一区二区无码毛片

IGBT電鍍模塊工作原理
（1）方法
        IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然功率MOSFET器件大幅度改進了RDS（on）特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。